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期刊论文
非平面多层外延双极功率集成电路工艺
非平面多层外延双极功率集成电路工艺
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lqlq329807
【摘 要】
:
用廉价的方式把数字、模拟和功率元件集成在单片衬底上的市场需求,在许多应用方面的重要性正在持续的增长。本文描述非平面多层外延双极型功率集成电路的工艺,此工艺特别适用
【作 者】
:
Curran
P
徐玉辉
【机 构】
:
TI公司
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1990年4期
【关键词】
:
双极
功率
集成电路
外延
工艺
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用廉价的方式把数字、模拟和功率元件集成在单片衬底上的市场需求,在许多应用方面的重要性正在持续的增长。本文描述非平面多层外延双极型功率集成电路的工艺,此工艺特别适用于低成本电源的应用,例如串联—通道稳压器。本概念能提高晶体管特性,并能扩展到更为复杂更高性能的智能功率集成电路的应用领域。
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