【摘 要】
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为了研究激光热效应对CMOS探测器的干扰效应,建立了激光辐照CMOS探测器固体传热的有限元仿真模型,仿真了激光辐照CMOS的光热效应,得到CMOS探测器的表面温度分布及Si层表面的
【机 构】
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北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院;
【基金项目】
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北京市自然科学基金资助项目(No.4154071);十三五国防预研项目
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为了研究激光热效应对CMOS探测器的干扰效应,建立了激光辐照CMOS探测器固体传热的有限元仿真模型,仿真了激光辐照CMOS的光热效应,得到CMOS探测器的表面温度分布及Si层表面的温度曲线。根据半导体电子空穴对产生公式,得到波长为1064nm的不同功率密度的激光辐照CMOS而产生的光生载流子、热生载流子。根据CMOS对于1064nm激光的饱和功率密度阈值5.87×10-3W/cm~2,得到CMOS的载流子饱和阈值。对比不同功率密度的激光辐照CMOS时的三种载流子。结果表明,功率密度为350W/cm~2的激光辐照CMOS时,热生载流子大于了CMOS的载流子饱和阈值,证明热生载流子已经占满了像元,激光的热效应已经干扰了CMOS探测器。
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