【摘 要】
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针对先进光刻调焦调平传感器系统的增益系数工艺相关性开展理论仿真与实验研究.建立了增益系数工艺相关性理论模型,仿真分析了调焦调平传感器增益系数与测量误差随不同光刻工艺材料膜层厚度的变化规律.在自研实验系统上对表面涂覆不同厚度SiO2薄膜的硅片样品进行了实验验证,发现实验与理论仿真得到的增益系数与测量误差随膜层厚度的变化规律一致.仿真与实验研究结果表明,调焦调平传感器的工艺相关性测量误差在SiO2膜层厚度为250 nm和690 nm附近时分别出现约55.9 nm和36.6 nm的误差峰值.采用表面覆盖特定膜层
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所,北京100029
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针对先进光刻调焦调平传感器系统的增益系数工艺相关性开展理论仿真与实验研究.建立了增益系数工艺相关性理论模型,仿真分析了调焦调平传感器增益系数与测量误差随不同光刻工艺材料膜层厚度的变化规律.在自研实验系统上对表面涂覆不同厚度SiO2薄膜的硅片样品进行了实验验证,发现实验与理论仿真得到的增益系数与测量误差随膜层厚度的变化规律一致.仿真与实验研究结果表明,调焦调平传感器的工艺相关性测量误差在SiO2膜层厚度为250 nm和690 nm附近时分别出现约55.9 nm和36.6 nm的误差峰值.采用表面覆盖特定膜层的硅片来标定光刻机调焦调平传感器,可以有效减小增益系数工艺相关性的影响和测量误差.本研究结果对于光刻精密对焦控制、光刻工艺优化具有重要的参考意义.
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