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采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的直径在50～200nm之间，纳米棒的直径在200～800nm之间。