【摘 要】
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针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件抗单粒子辐射性能低的问题，开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究，采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析，并对回片器件利用Ta离子（线性能量转移，LET=79.2 MeV·cm2/mg）进行辐照试验验证，结
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针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件抗单粒子辐射性能低的问题，开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究，采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+well及漏区缓冲层结构的加固机理进行仿真分析，并对回片器件利用Ta离子（线性能量转移，LET=79.2 MeV·cm2/mg）进行辐照试验验证，结果表明，提高Pwell掺杂浓度和采用缓冲层结构可将高压LDMOS器件抗单粒子烧毁电压提升至60 V。
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