一种基于40nm CMOS工艺的电流舵DAC IP核设计

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基于SMIC40nm CMOS工艺,设计了一种10位100MS/sDACIP核.该DACIP核采用6+4分段式电流舵结构,1.1V/2.5V双电源供电,满量程输出电流为20mA完成了DACIP核电路和版图的原型设计,提取了物理模型与时序模型,组成基本的数据交付项.对该DACIP核进行了仿真分析,给出了流片后的测试结果.
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