【摘 要】
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薄膜晶体管的低电压操作一直是研究者期待解决的问题.双电层电容具有巨大的电容,被认为是低功耗电子器件有希望的候选材料.我们以磁控溅射技术沉积多孔SiO2固态电解质薄膜为
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薄膜晶体管的低电压操作一直是研究者期待解决的问题.双电层电容具有巨大的电容,被认为是低功耗电子器件有希望的候选材料.我们以磁控溅射技术沉积多孔SiO2固态电解质薄膜为介质层,制备了铟镓锌氧(InGaZnO:IGZO)基双电层薄膜晶体管(EDLT).多孔SiO2薄膜表现出大的双电层电容(0.2μF/cm2),具有大的栅极调控作用.因此,IGZO基EDLT可以工作在<1V的栅极电压下.
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