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法国研究超薄磁记录层
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1992年29期
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本文研究了双色脉冲激光与多电子原子相互作用过程,计算了高激发态的粒子数和总离子数随时间的变化,并对计算的结果进行了分析.
在有效质量近似下，考虑强的内建电场和应变对材料参量的影响，变分研究了流体静压力对有限高势垒应变纤锌矿GaN/Al0.15Ga0.85N柱形量子点中重空穴激子的结合能、发光波长和电子空穴复合率的影响.数值结果表明，激子结合能和电子空穴复合率随流体静压力的增大而近线性增大，发光波长随流体静压力的增大而单调减小.在量子点尺寸较小的情况下，流体静压力对激子结合能和电子空穴复合率的影响更明显.由于应变效应，为了获得有效的电子-空穴复合过程，GaN量子点的高度必须小于5.5 nm.
Novel algorithm for simultaneously detecting multiple vapor materials with multiple-wavelength diffe
Differential absorption lidar (DIAL) has been successfully used to detect vapor material, however limited to detect single vapor using two closely spaced wavelengths. The progress in multiple-wavelength lasers motivates the need for detection and estimati
依据当前的实验条件通过绝热近似理论提出了广义的Dicke模型,此模型中引进了反旋波项和旋波项之间的相对相位。数值计算和理论解析表明,该相位能实现对原子自旋压缩的调控,并预期通过增加原子数来产生更大的自旋压缩。论文结果为实验提高自旋压缩因子提供了一种新途径。
半导体激光器，在短波段有GaAlAs，长波 段有InGaAsP，已分别付诸实用，现已成为光电子学的基本元件。其中，主要用于光盘光信息处理的GaAlAS激光器的新进展，即激光列阵相当受人注目。将半导体激光器列阵化，其目的为获得大功率输出和多功能化。以下介绍属于后者的三光束半导体激光器的结构、特性以及应用。
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通过数值模拟与实验相结合的方法，研究超声场对激光熔凝过程中熔池温度场、流场以及熔池形貌的影响。建立描述超声振动辅助激光熔凝过程中的声场和温度场的三维数学模型，通过有限体积法实现激光熔池中声场和温度场的耦合模拟分析，系统分析激光熔池内声场、温度场、流场的变化规律。结果表明: 在超声场作用下的熔池温度略低于未施加超声场的熔池温度；流动速度增加72%，但并未改变未加超声时熔池内Marangoni流的环流趋势；在超声场作用下的熔池宽度增加0.5 mm、深度减小0.1 mm。通过激光熔凝实验验证数值模拟结果与实际情
据联合化工公司光物理学分部的塔克西奥（Sam A. Tnccio)和哈特福德（Allen Hartford Jr.)说，用CO2激光照射三氟甲烷(CF3H)，获得了激光同位素分离的最髙的浓缩因数。塔克西奥博士说，他们有选择地只离解带氘的分子，获得达一万倍的浓缩;此方法“在商业上有很高的潜力”。以前劳伦斯·利弗莫尔实验室马林(Jack Β. Marling)和赫尔曼（Irving P. Herman)在GF3CHCl2(氟利昂123)上获得的最高浓缩因数为1，400。
期刊
用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上沉积了LiTaO3薄膜, 并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方法分析了薄膜的结晶性能、各元素化学价态和元素原子百分比。结果表明, 经700℃退火处理1h得到的薄膜结晶性能最好, 在(104)晶向上具有强烈的择优取向性。薄膜退火温度的升高导致薄膜中Li空位缺陷和O空位缺陷减少。研究表明, 薄膜中O/Li的原子比对结晶性能有着非常明显的影响, 原子值越接近晶体化学计量比, 结晶性能越好。