论文部分内容阅读
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的AlGaN／GaN二维电子气(2DEG)材料，室温和77K温度下的电子迁移率分别为946和2578cm^2／(V·s)，室温和77K温度下2DEG面密度分别为1．3×10^13和1．27×10^13cm^-2．并利用AlGaN／GaN二维电子气材料制造出了高性能的HEMT器件，栅长为1μm，源漏间距为4μm，最大电流密度为485mA／mm(VG=1V)，最大非本征跨导为170mS／mm(VG=0V)，截止频率和最高振荡频率分别