低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：licx1010

【摘要】

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利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测

【作者】

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邓加军赵建华蒋春萍牛智川杨富华吴晓光郑厚植

【机构】

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中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

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稀磁半导体铁磁性分子束外延

【基金项目】

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国家自然科学基金重点项目(批准号:10334030),国家重点基础研究专项(批准号:2001CB3095)和留学回国人员科研启动基金资助项目

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利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.

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