【摘 要】
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室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析,发现不同的退火时间对a-Si:H的
【基金项目】
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中国科学院资助项目，江苏省自然科学基金
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室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析,发现不同的退火时间对a-Si:H的微结构影响很大,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H0)与薄膜的反应.化学势很高的H0能将Si-Si弱键转变成Si-Si强键.硅网络结构发生弛豫,使结构由无序向有序转变,从而能够降低晶化温度与退火时间.
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