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通过研究金属钨化学机械研磨（WCMP）后清洗的一种水痕状的缺陷（Watermarklikedefect），经过一系列的实验，我们发现这种缺陷产生的原因是具有钨插塞（WPlug）结构的晶片在清洗中WO3被溶解，并在随后的烘干环节中W析出并形成缺陷。在典型的WCMP之后增加一次DHF的清洗，能清除99.6%的该类型的缺陷，可应用到实际生产中，减少产品缺陷，提高产品良率。