【摘 要】
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The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial la
【出 处】
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Semiconductor Photonics and Technology
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The crystal quality of p-GaN film depends on the stress-strain during the process of material growth at a certain extent. A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using standard low-temperature(LT) buffer layer by MOCVD. And by testing analysis of correlative experiments,we found that the stress-strain of p-type GaN could be changed by annealing,enhancing the crystal quality.
A smooth high-quality GaN epitaxial layer was grown on sapphire substrate using a standard low-temperature (LT) buffer layer by MOCVD And by testing analysis of correlative experiments, we found that the stress-strain of p-type GaN could be changed by annealing, enhancing the crystal quality.
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