MOCVD生长InP／GaInAsP DBR结构及相关材料特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：siman2008

【摘要】

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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层.利

【作者】

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蒋红金亿鑫缪国庆宋航元光

【机构】

：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

金属有机化学气相沉积 MOCVD 半导体材料磷化铟磷砷铟镓布喇格反射镜 X射线衍射扫描电子显微镜低温光致发光光谱反射率周期数 MOCVD InP

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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层.利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征.结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为 9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层

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