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采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明:经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的"蚯蚓状"的腐蚀坑,且反射率较低。在400～1 000nm波长范围内,反射率可达22.75%;生长了SiNx薄膜后,反射率减小至8.33%,比原始硅片的反射率低20.96%。