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给出了一种低成本合成高纯碳化硅晶须的新方法.采用电场催化技术,在较低的温度(1200～1400℃)下合成了直径为100～200nm、长度为5～50μm的碳化硅晶须.研究结果表明,以炭黑和SiO2微粉为原料在电场电炉中能够合成出高纯度、高含量的碳化硅晶须.
电场电炉合成碳化硅晶须的研究
【摘 要】
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给出了一种低成本合成高纯碳化硅晶须的新方法.采用电场催化技术,在较低的温度(1200～1400℃)下合成了直径为100～200nm、长度为5～50μm的碳化硅晶须.研究结果表明,以炭黑和SiO2微
【机 构】
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青岛建筑工程学院,沈阳工业学院
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2003年3期
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