BST-MEMS移相器开关

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mugua220

【摘要】

：

为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构--分布式电容周期性加载结构.分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关.目前MEMS可变电容单元采用的介质基

【作者】

：

邵雯雯惠春徐爱兰

【机构】

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薄膜与微细技术教育部重点实验室

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

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2004年10期

【关键词】

：

电子技术 BST MEMS 移相器开关氮化硅分布式加载 electronic technology BSTMEMS switch phase shifter

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为了提高MEMS电容开关性能,介绍了移相器的一种新型结构--分布式电容周期性加载结构.分析发现移相器的相移度和单元可变电容的变化率有关.目前MEMS可变电容单元采用的介质基本上是氮化硅.BST薄膜作为一种性质优良的介电材料,其介电常数远大于氮化硅.从MEMS移相器开关性能的几个关键指标出发,探讨在MEMS移相器开关中,用BST薄膜代替氮化硅介质的可能性.

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