微波功率GaAs FET放大器

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介绍了采用新型GaAs功率FET研制覆盖频率为6~12GHz的宽带微波放大器的方法。本文叙述了一种特殊电路布局,它不仅把边缘耦合传输线用于阻抗匹配,而且还用来作为输入和输出隔直耦合元件。文章还讨论了X波段1W22dB增益GaAsFET放大器的微带电路设计。给出了微波性能特征,例如交调、调幅与调相的变换以及噪声系数等。 A new GaAs power FET is introduced to develop a wideband microwave amplifier with a frequency of 6 ~ 12GHz. This article describes a special circuit layout that not only uses the edge-coupled transmission line for impedance matching but also serves as the input and output of the DC-coupling element. The article also discusses the microstrip design of an X-band 1W22dB gain GaAsFET amplifier. The microwave performance characteristics are given, such as intermodulation, amplitude modulation and phase modulation transformation, and noise figure.
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