【摘 要】
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在存在表面耗散层的纯Rb光学厚蒸气中,利用小功率可调谐半导体激光器泵浦Rb(5P3/2)的超精细结构能级,测量和分析了780nm(5P3/2→5S1/2)和795nm(5P1/2→5S1/2)后向荧光的强度
【机 构】
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华东理工大学化学与分子工程学院,新疆大学物理科学与技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(10664003)资助
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在存在表面耗散层的纯Rb光学厚蒸气中,利用小功率可调谐半导体激光器泵浦Rb(5P3/2)的超精细结构能级,测量和分析了780nm(5P3/2→5S1/2)和795nm(5P1/2→5S1/2)后向荧光的强度和线形,耗散层(近区)起光谱滤波器的作用。有两种可能产生5P1/2态原子的机制,第一种机制是Rb(5P3/2)+Rb(5S1/2)→Rb(5P1/2)+Rb(5S1/2);第二种机制是Rb(5D)+Rb(5S)→Rb(5P)+Rb(5P),对于每一种机制,给出了后向敏化荧光的理论公式。研究后向荧光时,必须要确定荧光强度与激光功率的关系和荧光线形。激光频率扫描超精细结构共振线,得到的敏化后向荧光795nm线形与共振荧光780nm线形相似,其荧光强度与荧光功率有线性关系。因此,基本上可以用第一种机制解释5P1/2态布居机制。理论证明了,第二种机制产生的敏化后向荧光强度应与激光功率平方成比例,这与实验结果是不同的,第二种机制不能解释耗散层界面后向敏化荧光的产生。
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