【摘 要】
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本文用统计方法对择优生长的多晶硅横向压阻进行了分析:计算了【100】、【110】、【111】、【211】、【221】、【311】、【331】等低指数晶向择优生长的P型和N型多晶硅横向平
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本文用统计方法对择优生长的多晶硅横向压阻进行了分析:计算了【100】、【110】、【111】、【211】、【221】、【311】、【331】等低指数晶向择优生长的P型和N型多晶硅横向平均晶粒压阻系数;采用全空间统计平均的方法,计算得到了晶向完全随机的多晶硅横向平均晶粒压阻系数;从欧姆定律和多晶硅晶粒特性出发,推导了多晶硅横向压阻灵敏度的表达式。通过实验测量了多晶硅横向压阻器件的灵敏度及其与角度的关系,证实多晶硅横向压阻灵敏度与器件倾角α符合sin2α的关系。将实验结果与理论分析的结果相比较后,得到了多晶硅
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