【摘 要】
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研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC）现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院微电子学系,四川大学物理科学与技术学院
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研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC）现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为：晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子
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