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报道了用四探针法及阳极氧化法测试云南半导体器件帮生产的φ（１００）绒面硅太阳能电池扩散层薄层电阻（Ｒｓ）及结深（Ｘ１）的情况，从中可检测适合于硅太阳能电池ｐ－ｎ结需要的Ｒｓ和ｘ１对提高太阳能电池产品质量有较重要的指导作用。
阳极氧化法测量硅太阳能电池结深及杂质浓度分布
【摘 要】
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报道了用四探针法及阳极氧化法测试云南半导体器件帮生产的φ（１００）绒面硅太阳能电池扩散层薄层电阻（Ｒｓ）及结深（Ｘ１）的情况，从中可检测适合于硅太阳能电池ｐ－ｎ结需要的Ｒｓ和ｘ１对提高太阳能电池产品质量
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所,云南半导体器件厂
【出 处】
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新能源
【发表日期】
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1996年9期
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