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<正> 一、引言 集成电路超大规模、超高速、高可靠以及功率集成等前沿课题研究的深入,使SOI材料的开发一直成为人们十分重视的领域。制备SOI材料的方法很多,如硅的高能氧注入,能量束对
硅片直接键合制备SOI及高压器件的研究
【摘 要】
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<正> 一、引言 集成电路超大规模、超高速、高可靠以及功率集成等前沿课题研究的深入,使SOI材料的开发一直成为人们十分重视的领域。制备SOI材料的方法很多,如硅的高能氧注入
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1988年04期
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