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在稳态近似下通过求解速率方程分别计算了有无M带高能光子存在下,不同温度密度下Cl等离子体的离化度分布以及发射谱,研究了高能光子对等离子体发射谱的影响。研究发现：腔内混有的少量M带高能光子几乎不影响等离子体中重要的离化度分布,但是会激发或者电离各种离子的内壳层电子,从而对发射谱产生重要的影响。因此有M带高能光子存在时,用发射谱诊断等离子体温度时需要同时考虑温度、密度和M带高能光子对发射谱的影响。