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从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
提高晶闸管di/dt能力的研究
【摘 要】
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从di／dt损坏机制，定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
【机 构】
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锦州市圣合科技电子有限公司,沈阳工业大学信息科学与工程学院
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2014年4期
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