在不同退火温度下射频磁控溅射CN_x膜的电子场发射性质

来源 :吉林大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:roseisdead
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对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火,退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征.结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp^2,sp^3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.
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