【摘 要】
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实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(CH)_x膜的注入区和原始区(p型)之间显示了P-n
【机 构】
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东京农业技术大学技术学院电子工程系,东京农业技术大学技术学院电子工程系
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实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(CH)_x膜的注入区和原始区(p型)之间显示了P-n结的电流-电压特性,在37天多的时间里呈现了整流特性。还观察到它在空气中的稳定性获得改善。离子注入掺杂技术对于延长(CH)_x器件的寿命达到实用化来说可能是十分有用的。
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