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提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构.它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层.通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响.根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱.