【摘 要】
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采用TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器。采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及
【机 构】
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杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所
【基金项目】
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浙江省科技计划项目(2017C01027)
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采用TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器。采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及初次级线圈的品质因数Q。同时采用背硅刻蚀工艺改进衬底,减少衬底涡流损耗。研究了线圈直径d、宽度w和间距s对变压器性能的影响。应用安捷伦ADS Momentum软件,对所设计的片上变压器进行电磁场S参数仿真验证。结果表明,该变压器在4.2 GHz时品质因数Q值达到最大值13.4,在1~10 GHz频率范围内耦合系数K为0.8~
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