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利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速驰豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层。这种很薄的缓冲层用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格。
在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格
【摘 要】
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利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速驰豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层。这种很薄的缓冲层用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格。
【机 构】
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复旦大学应用表面物理实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金,博士点基金
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