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对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的FV特性进行了研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分，发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3．1nm的TeO2氧化层。用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-N特性测试，结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au／p—CZT接触的势垒高度，相应地减小了漏电流。