论文部分内容阅读
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4（CIO）薄膜，研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明：电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加，随着基片温度的升高先减小后增加；透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后，薄膜的电阻率降低，光吸收边发生“蓝移”。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响，光吸收边的移动是“Burstein-Moss”效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究，推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件