退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究

来源 :材料工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dingwenqi65118290

【摘要】

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采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非

【作者】

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王华于军王耘波倪尔瑚

【机构】

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桂林电子工业学院通信与信息工程系,华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

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材料工程

【发表日期】

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2002年11期

【关键词】

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Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜铁电薄膜 BI4TI3O12 微观结构退火温度硅钛酸铋 ferroelectric thin films Bi4Ti3

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采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态,退火温度在550～850℃范围时均为多晶薄膜,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大,但在较高温度下增长速度趋缓.

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