磁场下MgB2的电导涨落效应

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qingqing008800

【摘要】

：

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效

【作者】

：

李慧玲阮可青李世燕莫维勤樊荣罗习刚陈仙辉曹烈兆

【机构】

：

中国科学技术大学

【出处】

：

低温物理学报

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

磁场 MGB2 硼化镁电导涨落效应层间耦合超导体高温

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划)

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测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

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