【摘 要】
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台湾积体电路制造股份有限公司近日宣布,将28nm制程定位为全世代(Full Node)制程,同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)及氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON
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台湾积体电路制造股份有限公司近日宣布,将28nm制程定位为全世代(Full Node)制程,同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate,HKMG)及氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON)材料两种选择,以支持不同产品的应用及效能需求。此一28nm制程预计于2010年第一季开始生产。
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. recently announced that the 28nm process will be positioned as a full-fledged (Full Node) process while providing customers high-k metal gate (HKMG) and silicon oxynitride (Silicon Oxynitride , SiON) materials, two options to support the application of different products and performance needs. This 28nm process is expected to begin production in the first quarter of 2010.
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