【摘 要】
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三、2G721设计实例 2G721晶体管参数指标 P_O=5.0瓦 K_P=4.5分贝 f_O=400兆赫 V_C=28伏 η≥60％ P_(CM)=10瓦 封装如图23所示。
Third, 2G721 design examples 2G721 Transi
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三、2G721设计实例 2G721晶体管参数指标 P_O=5.0瓦 K_P=4.5分贝 f_O=400兆赫 V_C=28伏 η≥60％ P_(CM)=10瓦 封装如图23所示。
Third, 2G721 design examples 2G721 Transistor parameters P_O = 5.0 watts K_P = 4.5 dB f_O = 400 MHz V_C = 28 volts η ≥ 60% P_ (CM) = 10 watts package shown in Figure 23.
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