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涂胶工艺是光刻技术中重要的步骤,本文介绍了一种基于12inch硅衬底晶圆涂覆光刻胶改善其边缘"风旋"问题的方法,结合实验系统考察了工艺配方中滴胶速度、甩胶时间、甩胶速度、主转速结构等因素对涂胶结果的影响,最终得到了适宜的涂胶工艺,实验采用Barc胶,12inch晶圆。
基于光阻涂覆后硅衬底晶圆边缘“风旋”缺陷的研究
【摘 要】
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涂胶工艺是光刻技术中重要的步骤,本文介绍了一种基于12inch硅衬底晶圆涂覆光刻胶改善其边缘"风旋"问题的方法,结合实验系统考察了工艺配方中滴胶速度、甩胶时间、甩胶速度、
【机 构】
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沈阳芯源微电子设备股份有限公司
【出 处】
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信息记录材料
【发表日期】
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2020年4期
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