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采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法，在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜，研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响，结果表明，N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌，同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加；通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明，随退火温度的升高，薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势．