碲镉汞阳极氧化膜界面的研究

来源 :红外研究(A辑) | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangyan820923
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用X射线光电子能谱方法研究了Hg_0.8CD_0.2Te样品的厚度为35、50、55、和65nm的阳极氧化膜。结果表明阳极氧化膜的成分中:0为58~60%,Te为22~26%,Cd为10~13%,Hg为3~4%。在氧化膜与基体界面半导体一侧存在缺汞区,比正常值少14~34%。 The anodized films of Hg_0.8CD_0.2Te samples with thickness of 35, 50, 55, and 65 nm were studied by X-ray photoelectron spectroscopy. The results show that the composition of the anodized film is as follows: 0 is 58 to 60%, Te is 22 to 26%, Cd is 10 to 13%, and Hg is 3 to 4%. There is a mercury-deficient region on the semiconductor side of the interface between the oxide film and the substrate, which is 14% to 34% less than the normal value.
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