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通过分析单个微纳米磨粒滑动接触的分子动力学模拟的研究结果，提出了在典型的机械化学抛光（CMP）过程中芯片表面材料的去除应为表面非晶层物质粘性流动所致的新观点。基于这种机理，应用微观接触力学和磨粒粒度分布理论建立了一种新的表征CMP过程材料去除速率的数学模型。模型中引入了一个表征单个磨粒去除芯片表面非晶层能力的比例系数k，k综合反映了磨粒的机械作用、抛光液对芯片表面的化学作用和芯片的材料特性。通过实验验证发现该模型的理论预测值与实验测定值十分吻合。