【摘 要】
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三星最新的晶圆级堆叠封装(WSP)包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片,藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM,三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。
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三星最新的晶圆级堆叠封装(WSP)包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片,藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM,三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。
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