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GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.
GaAsFET的表面漏电
【摘 要】
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GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs
【机 构】
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专用集成电路国家重点实验室,电子材料研究所,复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2003年1期
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