ZnO纳米粒子自建场的形成及对其光电特性的影响

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近几年, 宽禁带纳米ZnO已成为材料科学研究中一个热门课题. 这一方面是因为ZnO是制作传感器和气敏元件等不可缺少的原料[1,2]; 另一方面是由于纳米ZnO具有较高的激子结合能、良好的机械和热稳定性, 从而成为制作高效、短波光电纳米器件中的首选原料[3,4]. 目前, 人们对ZnO研究工作主要集中在制备及其光学特性上, 而对光生电子和空穴的微观运动行为及其复合方式, 即发光和光电特性之间的关系研究则较少. 通常, 氧化物半导体材料的性能取决于微纳区域表面和界面电子结构和电荷转移行为[5,6]. 因此,
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