磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜工艺条件的优化

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yydfan

【摘要】

：

采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜的工艺条件．调节四个较为重要的影响因素，即Cu／In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到16

【作者】

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汤会香严密张辉张加友孙云薛玉明杨德仁

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室,南开大学光电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

正交实验 CuInSe2薄膜优化制备 orthogonal experiment CuInSe 2 thin films optimized fabricat

【基金项目】

：

国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA5 13 0 2 3 ),国家杰出青年基金(批准号 :60 2 2 5 0 10 )资助项目~~

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采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2薄膜的工艺条件．调节四个较为重要的影响因素，即Cu／In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到16个CuInSe2样品．用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究，并且通过XRD研究了薄膜的结构性能．得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2薄膜的优化条件为：Cu／In比1．133，硒化温度420℃，硒化时间20min，硒源温度200℃．在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到3．19cm^2／(V·s)，XR

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