意法半导体低压N沟道场效应MOS晶体管

来源 :电子产品世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhym821211

【摘要】

：

意法半导体公司(STMicroelectonics)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管，这些产品的设计目标是超高开关频率的应用，对计算机主板和电信客

【出处】

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电子产品世界

【发表日期】

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2004年11B期

【关键词】

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MOS晶体管 N沟道场效应 FET 意法半导体公司开关频率低压主板计算机设计目标

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