MOS晶体管相关论文
矩形槽栅功率ＭＯＳ晶体管主研人员：李平夏建新李肇基陈星弼俞永康蒋保运王开琼严素珍龚有华闫斌根据国际功率ＭＯＳ发展新动向，对矩形槽栅功率器......
施密特触发器在模拟电路和数字电路中,可用来减少对噪声和干扰的灵敏度。电流型施密特触发器在光电检测器、条码阅读器和光学远距......
主要阐述了电荷泵技术在14 V HV MOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性......
随着科技的发展，神经网络逐渐成为现代智能系统的一个重要研究领域。它在自动控制，智能机器人，医疗器件等方面有着重要的作用。本文中......
介绍了一种用于射频标签的上电复位电路.该电路适用于传统无源13.5 6MHz射频标签芯片的模拟前端部分,通过改变MOS晶体管的参数,可......
本文对神经MOS晶体管这一新型器件做了深入研究,分析了它的基本结构，建立了它的两种等效模型，并基于这种新型器件设计了一新型运放。......
高K栅介质与金属栅的引入，是推动MOS管集成技术沿着摩尔定律继续前行的重要推手，被戈登·摩尔认为是从推出多晶硅栅MOS晶体管以来，晶......
该文针对现有器件模拟软件不适应高温微电子学发展的现状,对其物理模型进行修改完善使之能实现MOSFET管在200~300℃高温下的特性模......
当今对集成电路高速、高集成度以及大信息存储量的追求,使得MOS晶体管的特征尺寸持续不断的缩小,同时也伴随着不同结构和不同材料......
随着集成电路工艺尺寸向着超深亚微米级甚至纳米级的进一步缩小,芯片单位面积上的功耗密度不断上升,这使功耗成为集成电路设计中必......
本设计主要由低噪声放大电路、信号放大电路、功率放大电路、单片机控制电路、AD转换、LCD显示、稳压电源等组成。低噪声放大电路......
低频功率放大器对小信号进行功率放大，以控制或驱动负载电路工作。本设计首先用NE5534对小信号进行前置放大，再采用分立的大功率MOS......
电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底......
期刊
在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在200......
简要介绍全固态发射机的日常维护和应急处理要点，尤其是对全固态技术最为关键和贵重的元件MOS晶体管的检修要点，做了简单详尽的介绍，......
日本富士电机公司最近开发了最适合于便携式设备电源用的超小型蓄电池保护IC。便携式设备的蓄电池为锂离子电池组。硅片上开有沟槽......
基于STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管适用于超高开关频率的应用，电压为24V和30V，额定电流为8A、12A、27A、50A和80A，10V时的......
基于多栅极SET的库仑振荡和相移特性，以及SET和MOS管的互补特性，提出了一种新型的多栅极SET／MOS管混合电路。介绍了该电路的结构和工......
【正】 半导体制造技术的国际学会“2001International Electron Devices Meeting(IEDM)”12月3～5日在美国华盛顿举行。IEDM 的参加......
基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基......
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验......
意法半导体公司(STMicroelectonics)推出多个基于其STripFET技术的低压N沟道场效应MOS晶体管，这些产品的设计目标是超高开关频率的......
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面参杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化的耐压......
提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件--双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJ......
结合单电子晶体管的FV特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想，设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单......
本文用Monte Carlo法模拟计算短沟MOSFET阈值电压V_T的成品率。当沟道变短,由于短沟道效应产品的V_T值变得更加分散。此外,当沟道......
在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚......
本文介绍一种新型氨气敏MOS场效应晶体管.采用Pd-Ir合金作为场效应晶体管的金属栅极.器件对氨气有足够的灵敏度和较好的选择性.文......
磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我......
本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜－ＭＯＳ晶体管传感器单元结构。和一般ＰＯＳＦＥＴ结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容......
内容简介：本书集中讲述CMOS数字集成电路，反映现代技术的发展水平，提供电路设计的最新资料。本书共有15章。前半部分详细讨论MOS晶体......
采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0．6vm体硅CMOS工......
研究了ＰＭＯＳ剂量计在不同温度和栅集团下的辐照退火表现，结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温......
电离辐射在ＭＯＳ结构的ＳｉＯ２层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正强栅偏压（＋２０Ｖ）下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向ＳｉＯ２层隧道注入，从而与......
针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS（简称HV MOS）晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶......
在商用标准0．6μm体硅CMOS工艺下，设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品，讨论其经过γ射线照射后的总剂......
国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下，SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难，人们在寻找新的栅......
瑞萨科技日前开发出一款面向65nm工艺以上SoC（系统级芯片）混载用途的高密度内存“TTRAM（twin transistor RAM）”。旨在取代传统的SoC混......
从最初的计算机和电话开始，互联网络一直是电子工程的关键构成。在超大规模集成（VLSI）电路时代，由于MOS晶体管的驱动特性以及片内互联......
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管，并在ON偏置条件下分别对其进行了10keVX射线及^60Coγ射线总剂量辐照实验。实验......
