【摘 要】
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以VOS04和NH4HCO3为原料，采用水解沉淀法制备M—VO2纳米粉体；借助TGA—DTA，XRD，IR和TEM等方法对V02形成机理进行了分析．结果表明：在226℃之前，VOS04的水解产物脱去物理吸附水，失重率
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院,同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室
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以VOS04和NH4HCO3为原料，采用水解沉淀法制备M—VO2纳米粉体；借助TGA—DTA，XRD，IR和TEM等方法对V02形成机理进行了分析．结果表明：在226℃之前，VOS04的水解产物脱去物理吸附水，失重率达13．19％（质量分数），在226～415℃，脱去-0H基团，形成无定形VO：；在DTA曲线上，375．7℃附近的放热峰为无定形VO2向B—VO2转变时的析晶峰；继续提高热处理温度和延长热处理时间，B—V02逐渐转变为M—VO2．V02前躯体在氩气保护下500℃热处理3h，即得到高纯度M—V
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