【摘 要】
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对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所 西安710071,西安710071,西安710071
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对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80 0K下可以正常工作
The device structure and temperature characteristics of 4H-SiCMOSFET are studied, and the influence of structural parameters of the device on the characteristics is summarized. The output characteristics at different temperatures and the changes of the saturation leakage current, threshold voltage, transconductance, on-resistance and temperature are compared The simulation results show that the 4H SiCMOSFET has excellent temperature characteristics and can work normally at 80 0K
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