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分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力,并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究,论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I-V特性的主要因素.
SITH栅—阴击穿特性分析
【摘 要】
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分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力,并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究,论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I-V特性的主要因素.
【机 构】
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武汉化工学院物理系
【出 处】
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武汉理工大学学报(信息与管理工程版)
【发表日期】
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2002年3期
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