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本文结合ＦＸ３２９０ＢｉＭＯＳ双电压比较器的电原理分析，论述采用同心式而已技巧对失调和温漂的影响，并采用自对准离子注入ＢｉＭＯＳ工艺来提高器件 工作电压，进一步降低失调和温漂。在外型封装与国外同类产品相同的条件下，达到了设计要求，部分指标已接近甚至超过国外同类产品水平。
FX3290BiMOS双电压比较器的研制
【摘 要】
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本文结合ＦＸ３２９０ＢｉＭＯＳ双电压比较器的电原理分析，论述采用同心式而已技巧对失调和温漂的影响，并采用自对准离子注入ＢｉＭＯＳ工艺来提高器件 工作电压，进一步降低失调和温漂。在外型封装与国外同类产
【机 构】
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四四三三厂
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
：
1997年1期
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